这表明等离子体和催化剂的作用机理与纯催化作用的机理并不相同，cob等离子体清洗等离子体等离子体和催化剂的作用机理有待进一步研究。在CO2氧化物CH4转化反应中，LA203/Y-AL203、NA2WO4/Y-AL203等通过表面反应提高C2烃类产品的选择性，从而提高C2烃类产品的收率，但不能从根本上提高C2烃类产品的收率碳氢化合物产品。

在可变C2烃类产品的分布中，cob等离子体清洗机器乙炔占C2烃类产品的70%以上，反应的气相副产物为H2和CO。鉴于上述试验结果，必须选择合适的催化剂来改变C2烃产物的分布，增加C2烃产物中C2H2的摩尔分数，增加反应原子的经济效益。

相反，cob等离子体清洗随着 CEO2 上的负载增加，CO2 转化率下降。随着 CEO2 负载从 0 增加到 10%，C2H4 和 C2H2 的总产率从 12.7% 增加到 21.8%。因此，有必要研究10%CEO2/Y-AL2O3与等离子体联合作用下乙烷的转化反应。

C2H6 + E * & RARR; CH3 + CH3 + E (3-38) C2H6 + E * & RARR; C2H5 + H + E (3-39) 同样，cob等离子体清洗CO2分子与高能电子之间的非弹性碰撞促进CO增加键被裂解产生活性氧物质：CO2 + E * & RARR；CO + O- (3-40) CO2 + E * & RARR；CO + O + E (3-41) 活性氧物质和 C2H6 分子。

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到 C2H4 和 C2H2：C2H6 + 0 & RARR; C2H4 + H2OC2H6 + O- & RARR; C2H4 + H2O + E (3-42) C2H6 + 2O & RARR; C2H4 + H2O C2H6 + 2O- & RARR; C2H2 + 2H2 因此，随着添加到反应系统中的 CO2 量的增加，更多的氧物质与乙烷反应生成乙烯和乙炔。

但在DBD放电等离子等离子体的作用下，CH4与CO2重整反应的反应产物转化率较低，反应能耗较高。 LI 等人分别研究了在直流和交流电晕放电作用下 CH4 和 CO2 的重整反应。实验结果表明，CH4和CO2在电晕放电等离子体作用下的重整反应，与直流正电晕放电后交流电晕放电相比，反应物、H2的选择转化率更高。可以获得选择性。直流负电晕。马里缩酮。还有杰塞雷塔尔。

当等离子清洗功率为100W、200W、300W、400W、500W时，78L12芯片正常工作如下。温和加热条件（85℃）下输出电压的变化假设等离子清洗时间和气氛不变，随着清洗功率的增加，正常等离子清洗前后78L12芯片的输出电压变化增加。这同样适用于倾向于线性增加的加热条件。假设等离子清洗功率和气氛不变，78L12芯片在常温加热条件下等离子清洗前后的输出电压趋于不断增加，随着清洗时间的增加趋于稳定。

3、退火工艺对78L12芯片电性能的影响将常规工艺等离子清洗后的78L12芯片在150℃的空气环境中存放4小时，测试输出电压。 4H，芯片输出电压明显下降。加热条件下的储存环境加快了芯片材料中原子的运动速度和振动频率，促进了原子向平衡态的转变。这表现为 78L12 芯片的输出电压下降。这也说明78L12芯片在等离子清洗过程中的电压上升是一个可逆的过程，不会因为芯片内部发生破坏而损坏。

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4、上电老化对78L12芯片电特性的影响将退火后的78L12芯片在125℃老化168小时后，cob等离子体清洗机器测量芯片的输出电压如表4所示。芯片已通过电源劣化评估，输出电压值稳定。老化后的输出电压略低于等离子清洗前测量的初始电压。这是因为等离子清洗后的刀片退火没有完成。在 125°C 和 168H 的加热条件下继续进行退火过程。并且输出电压进一步下降。 5、氮化硅薄膜芯片经过多次等离子清洗后，钝化膜上没有出现起皱现象。